東芝面向車載應用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET

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關鍵詞:東芝 電路 汽車

    中國上海,2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款面向車載48V電氣系統應用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產和出貨計劃于今天開始。

    MOSFET產品圖

    新產品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構,安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查,從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設備功耗;XPH4R10ANB擁有業界領先的[2]低導通電阻。

    應用:
    ?汽車設備
    電源裝置(DC-DC轉換器)和LED頭燈等(電機驅動、開關穩壓器和負載開關)

    特性:
    ?東芝的首款[1]100V車用產品使用小型表面貼裝SOP Advance(WF)封裝
    ?通過AEC-Q101認證
    ?低導通電阻:
    RDS(ON)=4.1m?(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)
    RDS(ON)=6.3m?(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)
    ?采用可焊錫側翼端子結構的SOP Advance(WF)封裝

    主要規格:
    (除非另有說明,@Ta=25°C)
    器件型號 XPH4R10ANB XPH6R30ANB
    極性 N溝道
    絕對最大額定值 漏源極電壓
    VDSS
    (V) 100
     漏極電流
    (DC)
    ID
    (A) 70 45
     漏極電流
    (脈沖)
    IDP
    (A) 210 135
     溝道溫度
    Tch
    (℃) 175
    漏源極導通電阻
    RDS(ON)最大值
    (mΩ) @VGS=6V 6.2 9.5
     @VGS=10V 4.1 6.3
    溝道至外殼熱阻
    Zth(ch-c)
    最大值
    @Tc=25℃
    (℃/W) 0.88 1.13
    封裝 SOP Advance(WF)
    產品系列 U-MOSVIII-H U-MOSVIII-H

    注釋:
    [1] 截至2019年12月25日
    [2] 在同樣規格的產品中,截至2019年12月25日。東芝調查。

    如需了解有關新產品的更多信息,請訪問以下網址:
    https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH4R10ANB.html
    https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH6R30ANB.html

    如需了解有關東芝車載MOSFET的更多信息,請訪問以下網址:
    https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/automotive/automotive-mosfet.html

    *公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。


    關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社
    東芝電子元件及存儲裝置株式會社,主要從事電子元器件事業和存儲產品事業。其中電子元器件事業包含占市場大份額的分立器件、以及業界先進的系統LSI。在分立半導體領域,集中力量在控制設備功耗的功率器件等產品。在系統LSI領域,通過用于物聯網、汽車電子、通信和電源應用領域的LSI產品,推動全球電子設備的發展。存儲產品事業主要在機械硬盤(HDD)領域,著重開發面向數據中心等企業級大容量存儲產品。東芝通過加強電子元器件事業和存儲產品事業,為支持和推動智能社區和智能生活的建設提供廣泛的半導體解決方案及應用。
    更多信息請訪問:https://toshiba-semicon-storage.com

    (審核編輯: KEEP)

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